激战存储前沿军用软件测评资质下的三星860 EVO 2TB SSD极速评测

【IT168深度评测】不久前,我们专注探索了860 PRO的卓越表现,若尚未细读,请访问《64层3D MLC 三星860 PRO 512GB SSD深度解析》以领略更多精彩。

在回顾此次研究中,我们发现三星自家的V-NAND技术与其64层3D NAND结构相结合,为这代产品增添了极大的容量潜力。这种创新设计不仅扩展了存储空间,还显著提升了SSD的整体效率。

那么,除了提供更大容量外,三星860 EVO又将带来哪些令人振奋的新特性?接下来,让我们一同揭开这个神秘面纱,以便更全面地了解这一杰出的存储解决方案。

一、外观与内部构造分析

三星860 EVO采用了一贯简洁而现代的包装设计,其中主体图案位于正中央,左下角标示着“M.2”和“V-NAND”,右上角则清楚地显示出“2TB”的容量信息。不同于专业版本PRO,这款EVO以橙色丝带为区分标记,同时保留五年质保承诺。

它支持多种连接方式:M.2、mSATA以及SATA 3.0接口。我们评测的是基于M.2标准(2280规格)的型号。这意味着用户可以根据自己的需求选择合适的插槽类型,即Socket 2或Socket 3,每种都有其独特优势——Socket 3具备理论上的更高性能,但实际应用中的差异可能有限。

然而,由于我们的测试样本是基于Socket 2设计,它使用的是SATA通道,因此顺序读写速度约为550MB/s和520MB/s,以及4K随机读写IOPS达到97000和88000,这些数字并不远离其他同类SATA SSD产品。

对于如何辨识两种不同的接口类型,可以通过查看金手指上的缺口数量进行判断:如果存在两个缺口,则为Socket 2;如果只有一个缺口,则属于Socket 3。此外,与旗舰级别的PRO相比,本款EVO采用的MJX主控虽然保持了对LPDDR4缓存支持,但具体细节仍需进一步确认。

至于缓存部分,本款SSD配备有强大的LPDDR4内存,为系统提供额外加速能力。而闪存颗粒则采用三星研发的一代又新V-NAND技术,其堆叠层数从48升至64层,更换单颗可达1TB,从而实现全新的最大容量—即使是现在市场上也难寻得如此巨大的M.2型号SSD存在感。

最后值得注意的是,在写入寿命方面,与同等容量版860 PRO相比,该款EVO降低到了1200TBW,即600次全盘完整写入操作。在满足日常使用需求时,它展现出了稳定且经济实惠的一面。

标签: 智能输送方案

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