【IT168深度评测】不久前，我们专注探索了860 PRO的卓越表现，若尚未细读，请访问《64层3D MLC 三星860 PRO 512GB SSD深度解析》以领略更多精彩。
在回顾此次研究中，我们发现三星自家的V-NAND技术与其创新之举——采用64层3D NAND结构，为这代产品增添了独特魅力。这种高效的堆叠方式，不仅扩展了存储空间，还大幅提升了SSD容量。
那么，除了提供更广阔的存储世界外，三星860 EVO又能为我们带来怎样的惊喜呢？下面，让我们一同揭开这款SSD背后的神秘面纱。
一、外观与内部结构分析
从包装设计上看，三星860 EVO保持了一贯简洁而专业的风格，将产品图案置于中心位置，并在左下角标注型号、M.2接口以及V-NAND技术标识。此外，右上角则明确指示出该设备容量为2TB。与之相比的是，它们具有显著差异的地方是型号旁边的小条带颜色——PRO采用红色，而EVO则选用橙色，这种小细节反映出两者之间微妙但重要的区别。
关于保修期限方面，不论是PRO还是EVO，都享有五年的质保服务，这一点在包装背面的中央位置得到体现。而它提供多样化连接选择，如M.2、mSATA和SATA 3.0接口，但本次评测对象是基于M.2规格（2280）的版本。
二、性能分析
对于M.2接口而言，有两个不同类型：Socket 2和Socket 3。Socket 2支持SATA通道，同时也是PCI-E 3.0×2通道；而Socket 3则支持PCI-E 3.0×4通道，从理论上讲后者速度会更快。不过，对于实际应用来说，只有理论上的提升，并非所有场景都能充分发挥这一潜力。
因此，当看到我们的评测对象配备的是Socket 2时，我们不会对其550MB/s顺序读取速度和520MB/s顺序写入速度，以及97000IOPS随机读取操作和88000IOPS随机写入操作感到意外，因为这些数字并没有超越一般水平。这意味着，在使用相同标准（即SATA）下的性能，与其他类似介质持平。
最后，让我们一起学习如何辨识不同的插槽类型。一眼看去，如果金手指拥有两个缺口，那么就是 Socket-Ⅱ；如果只有一个缺口，则属于 Socket-Ⅲ。这便是一个简单但实用的技巧，可以帮助你快速确定哪些设备适用于你的需求。
主控芯片方面，由于新主控MJX不仅增加了对LPDDR4缓存支持，还包含了一系列未公开信息，因此目前无法给出详尽说明。但可以确认的是，本款SSD搭载有LPDDR4缓存，每颗占据着令人印象深刻的大小，即达到了每颗1TB单体容量。当它们组合成一块共享内存，其总容量将达到令人瞩目的两倍，即可达到巨大的2048GB或更高！
闪存颗粒采用的仍然是三星研发的一流V-NAND技术。在第三代之前，最多只能堆叠48层，而现在已推进至更加先进且强大的64层结构，使得单个Die能够承载如此庞大的数据储备—即使只是一个Die也足够形成1TB以上的数据密集性!
最终，在撰写完毕之后，我们不得不提及一下一次全盘写入次数，即1200TBW。在这个基础上进行600次全盘写入后，该驱动器可能会进入过热状态并开始减速，以保护自身寿命。这表明尽管它能够承受更多负担，但仍需谨慎处理，以延长其使用寿命。
